晶发科技

  1. 首页
  2. 手机 > 正文

美光已交付 HBM3E 内存样品：可达 1.2 TB / s 速度，成本比友商低

访客• • 手机• 10

...

9 月 28 日消息，SK 海力士的 HBM3E 内存迎来新竞争对手--美光。美光科技表示新款 HBM3E 同样可以达到 1.2 TB / s 的速度，而且已经向英伟达等客户交付样品，预估明年会有订单入账。 美光的 HBM3E 内存采用 eight-tier 布局，每个堆栈为 24 GB，采用 1β 技术生产，具备出色的性能。 美光表示旗下的 HBM3E 内存在提供和友商相同级别的性能之外，其成本会比其它友商更低。美光表示明年开始商业出货，目前正在寻求这些产品的认证，以满足英伟达的要求。 注：HBM（High Bandwidth Memory）是指垂直连接多个 DRAM，可显著提升数据处理速度，HBM DRAM 产品以 HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开发。HBM3E 是 HBM3 的扩展（Extended）版本。

阅读前请先查看【免责声明】本文内容由互联网用户自发贡献，该文观点仅代表作者本人，本站仅供展示。如发现本站有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容，请发送邮件至 1217266901@qq.com 举报，一经查实，本站将立刻删除。 转载请注明出处：https://www.jingfakeji.com/tech/20561.html

3 4
上一篇 2023年09月28日 14:48
下一篇 2023年09月28日 15:39

相关推荐

联系我们

在线咨询： QQ交谈

邮箱：1217266901@qq.com

工作时间：周一至周五，9:30-18:30，节假日休息

关注微信